文章来源：鲜枣课堂

就在不久前，一份名为《Micro LED CPO开启数据中心互连新局》的研报，引起了整个行业以及资本市场的关注。

研报指出，Micro LED CPO具有颠覆性的高带宽、低功耗和小型化优势，可以将光模块整体功耗降低20倍。行业专家也纷纷预测，这项技术将重新定义数据中心的架构设计，并可能在未来几年内掀起一场技术革新风暴。

受这个消息影响，3月5日，Micro LED概念股集体爆发。涨幅榜前10中，有7只“光电”概念股，风头正劲。

那么，到底什么是Micro LED CPO？它真的有那么厉害吗？

Micro LED CPO，其实就是 Micro LED + CPO，即微米级发光二极管（Micro LED）与共封装光学技术（CPO）的深度融合。

Micro LED和CPO，都不是新名词。我们先说说CPO。

CPO的本质，是把光模块（光引擎）从交换机的外表面，“搬进”交换机的心脏，和AISC交换芯片封装在一起。

这样一来，可以缩短光模块和交换芯片之间“电通道（上图红色线）”的距离，从而显著抑制电信号容易发生的高频信号衰减与电磁干扰。

“电通道”，一直都是限制连接速率的主要因素。当速率突破1.6Tbps，传统可插拔光模块方案已逼近物理极限，信号完整性急剧恶化，误码率飙升，散热与功耗也呈指数级增长。

过去这几年，CPO技术发展迅猛，已经开始进入规模商用阶段。资本市场也很早就做出了反应，相关概念股自2024年起已有明显涨幅。

CPO实物图

再来看看Micro LED。事实上，这次Micro LED CPO爆火，关键在于Micro LED。

第一眼看到Micro LED，大家会想到什么？当然是显示器啊。一直以来，我们所使用的液晶显示器，都是采用的LCD、LED等技术。

Micro LED，是一种更先进的LED技术。Micro的意思是“微小”。Micro LED是将LED微缩至5微米以下的自发光像素阵列技术，每个像素独立驱动、无背光、响应速度达纳秒级。

让Micro LED从实验室带入大众视野的，是大名鼎鼎的苹果Vision Pro。说白了，Micro LED最开始是为AR/VR而生的。

后来，专家们发现，Micro LED的微米级像素尺寸、纳秒级响应速度与超高光效特点，恰恰为光互连提供了极佳的光源基础——更小的发光面积、更低的驱动电压、更高的调制带宽，能够让光信号生成效率跃升一个数量级。

光模块，之前小枣君给大家科普过，其实就是发光和收光，光电信号转换。

光模块的组成

传统光模块，使用的是边发射激光器（EEL）或垂直腔面发射激光器（VCSEL）。这种激光器，尺寸大、功耗大，调制效率与能量效率表现已无法满足时代需求。

VCSEL激光器

硅光方案虽然可以一定程度提升集成度，但也存在光源耦合效率、晶圆级良率方面的问题。

大家都知道，现在AI爆炸式增长，智算中心的建设需求十分旺盛。在智算中心中，有大规模的算力集群，需要高速率、低延时、低功耗的芯片间互连。

英伟达的铜缆方案，全部都是电信号，成本和功耗极其恐怖，且传输距离极短（几米）。

传统激光器的光互连方案，单模块功耗也非常高。一个大型数据中心，仅光模块的功耗占比就超过25%，严重影响了整体能效和成本。

Micro LED的出现，提供了一个更好的解决方案。

根据最新研究数据显示，以1.6Tbps光通信产品为例，传统光模块的功耗高达30W。如果采用Micro LED CPO方案，整体功耗有望大幅降低95%以上，降至1.6W左右。

也有机构数据显示，基于Micro LED的光互联方案，单通道功耗可降至传统VCSEL方案的1/10、硅光方案的1/5，同时光引擎集成密度可提升3倍以上。

这是非常惊人的能效提升，可以大幅缓解智算中心的功耗与散热压力，显著降低运营成本。

一个10万卡GPU集群，如果机架间互联全部采用Micro LED CPO，一年可节约1500万度电，相当于减少约1.2万吨碳排放。

Micro LED只是换了一个光源，为什么会带来这么大的提升？

我们从底层原理来分析一下。

传统激光器，是一个“大型探照灯”。Micro LED，是几百甚至上千个“微型手电筒”阵列。

Micro LED发射阵列

这些Micro LED尺寸小于50微米，与CMOS驱动电路集成封装在一起，可以实现更高密度的并行光发射。

每颗Micro LED对应一个独立数据通道，降低了单通道的速率要求，只需μA（微安）级极低驱动电流，采用NRZ简单直接调制（无需额外调制器）。例如，128颗Micro LED阵列，每通道速率4Gbps，带宽就400G以上了。

Micro LED阵列发出的多路光信号，经专用透镜准直聚焦后，耦合进入多芯成像光纤，实现并行传输。

在接收端，通过CMOS集成PD（光探测器）阵列，把光转回电。整个过程无需复杂WDM（波分）或高速SerDes，功耗直接砍到80fJ/bit（发射端，无FEC前向纠错）。（fJ=飞焦，1飞焦=10^{-15}焦。）

相比之下，传统激光器的体积更大（毫米级），激光阈值电流高，驱动电流大约是200mA以上，且需搭配高功耗TIA（跨阻放大器）与DSP（数字信号处理芯片），能耗普遍高于1.2pJ/bit（pJ=皮焦，1皮焦=1000飞焦）。即使采用硅光方案，能耗也达到400fJ/bit。

Micro LED的载流子复合效率极高，光子生成过程几乎无热损耗。其响应速度更快、调制效率更高，光子利用率提升3倍以上。加之CMOS工艺兼容性极佳，可实现光器件单片高密度集成，彻底规避传统光模块中多级封装带来的寄生损耗与热阻瓶颈。

Micro LED工作温度范围更宽，-40℃至125℃均可稳定输出（在85℃高温下仍能维持90%以上光输出），无需TEC温控。

而传统激光器在85℃以上即出现明显波长漂移与效率衰减，必须依赖高功耗热电制冷。

Micro LED与CPO架构是绝配。Micro LED的低热功耗特性，恰好化解CPO高集成度带来的散热难题。而CPO提供的超短电互连路径，则能够充分发挥Micro LED纳秒级调制潜力。

过去，受限于VCSEL调制带宽与热管理瓶颈，CPO不得不在速率、功耗与封装密度间反复妥协。如今，Micro LED以更低驱动电压、更小热阻和更高光子转换效率，真正释放了CPO架构的物理潜力。

业界很多人将“传统激光器+CPO”称为CPO 1.0，而将“Micro LED+CPO”定义为CPO 2.0。它不再只是互连架构的物理迁移，更是光电器件与系统级设计的范式跃迁。

Micro LED CPO很强。但是，想要真正实现商业化落地，并不是一件简单的事情。在核心技术、工艺流程、产业配套等方面，仍面临不少的挑战。

用于光互连的Micro LED，和显示级Micro LED在材料体系、波长匹配、良率控制上存在非常大的差异，并不是直接拿来就用的。

波段方面，显示用Micro LED以可见光波段为主（通常采用GaN基蓝光芯片），而光通信需要850nm、1310nm等特定通信波段，对外延材料与芯片设计提出了完全不同的要求，晶圆异质集成难度大幅提升。

调制带宽方面，商用显示用Micro LED的调制带宽普遍在10GHz以内，而光通信用途，想要实现1.6Tbps以上速率，单通道需要50GHz以上的调制带宽。

高频，意味着对材料有更高的要求，要确保光功率、带宽、线性度不会严重下滑。InP（磷化铟）基Micro LED在50GHz高频驱动下，结温攀升速率较显示级快3倍，这也带来热管理挑战。

之前曾有某厂商人士透露，Micro LED 850nm波段样品仅实现25GHz带宽，50GHz以上高频样品仍在验证中。

光耦合精度方面，Micro LED需纳米级对准，工艺容错率极低。耦合精度需控制在±1~2微米内，否则耦合效率损失可达30%以上。

可靠性方面，数据中心光互连的工作环境和强度比普通显示器苛刻多了，需要光器件具有更强的环境耐受性。例如，在高温高湿、长期满负荷运行下，光功率衰减率须低于0.1%/千小时，寿命要求超25年。

值得一提的，还有Micro LED CPO方案的通信距离限制。

LED光谱宽，色散大。距离长了，就会有很大的光串扰。所以，Micro LED CPO方案目前只适用于短距互联场景（＜50米），如机柜内或相邻机架间的数据传输（GPU集群内部连接）。面对跨机房、城域级等中长距需求，仍需依赖传统光模块与DWDM技术协同补位。

Micro LED如果进行量产，还涉及到一个“巨量转移”技术挑战。

简单来说，巨量转移就是将数百万甚至上亿颗微米级的LED芯片，从生长基板上快速、精准地转移到显示或光通信的驱动电路基板上。这一过程要求极高的精度和效率，稍有偏差就会导致良率下降和成本飙升。

目前，业界提出了多种巨量转移技术方案，但在实际应用中仍存在诸多瓶颈，有待进一步技术攻关。

简而言之，尽管Micro LED CPO在理论上具有颠覆性的优势，但其高昂的研发和制造成本，以及关键技术和封装工艺上仍然存在的问题，使其短期内难以实现大规模商用。

行业专家普遍预测，Micro LED CPO需要3-5年的时间才能真正迈入规模化商用阶段。即便是最乐观的预测，也需要等到2027年。

目前，整个行业对Micro LED CPO技术非常重视，多家头部厂商纷纷入局，投入资源进行技术研发和产线建设。

北美方面，微软在去年8月推出了名为“MOSAIC”架构。目前800G原型机已经测试成功，且向后兼容现有接口。

英伟达此前提出了其硅光子CPO规格目标，包括低能耗（<1.5 pJ/bit）、小型化（>0.5 Tbps/mm2），以及高可靠性（低于10 FIT，Failure in Time，十亿小时低于一次的故障率），等等。Micro LED CPO，可以很好地满足这方面的要求。

在GB200、Blackwell等最新的AI算力平台上，英伟达已经为CPO方案预留了标准化的集成接口。英伟达近期40亿美元投资入股了光学技术公司Lumentum和Coherent，都是押宝光互连这个方向。

日韩方面，三星已完成基于Micro LED的100Gbps单通道光互联原型机开发，索尼则在车载光互联场景实现了技术验证。

台企方面，台积电开放了3D Fabric封装平台，与美国Avicena等公司合作，加速Micro LED互连产品的生产落地。联发科也于近期宣布攻克Micro LED光源技术，将在4月的OFC大会上展示有源光缆方案。

内地产业链也毫不示弱。

三安光电是国内Micro LED芯片领域的领先企业，目前6英寸产线满产，深度绑定全球光模块巨头，良率极高。

华灿光电背靠京东方，建成了全球首条6英寸Micro LED量产线。他们还与新相微战略合作，重点攻坚相关技术的研发与生产。

通富微电在2.5D/3D先进封装、晶圆级封装、高密度互连领域拥有成熟的量产能力。其掌握的超薄晶圆键合、10微米以下间距微凸块制造、光电混合集成封装技术，可实现 Micro LED 光源阵列、硅光芯片、算力交换芯片的同封装异构集成。

国内已经构建了全球最完整的Micro LED全产业链，目前处于“送样验证”到“小批量量产”的关键阶段。2026年被视为国产替代加速落地的元年，我们很可能在该赛道实现换道超车。

好啦，以上就是关于Micro LED CPO的详细介绍。

总而言之，Micro LED CPO在功耗、适应性、集成性、可靠性等方面拥有明显的优势，能够更好地满足AI浪潮下智算中心对网络连接的极致需求，具有非常不错的发展前景，值得大家密切关注。

2026年，光通信仍将是通信行业最具热度的领域。下一个热门概念是什么呢？让我们拭目以待！

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