冯俊波特别指出，任何技术向前发展肯定都是有代价的。从传统可插拔光模块向CPO（光电共封装）演进，也并非全然利好叠加，而是牺牲部分兼容性，换取更高性能。这一演进对硅光技术提出了全新要求，也促使某些早期被放弃的方案重新回归。具体体现在以下七个方面：一是评价体系转变：传统光模块关注带宽、成本、功耗；而CPO更强调可靠性、功耗、带宽、尺寸，并新增可制造性、良率、可测性、可维护性等维度。二是先进封装推动光电深度融合：采用台积电SoIC-X等混合键合工艺，其优势是将光电互联间距从>40μm缩至<10μm，在提升集成度的同时显著降低损耗与电容。三是光源方案外置化：出于系统可维护性考量，CPO主流采用外置光源（ELS）。针对保偏光纤（PMF）成本高的问题，英伟达2025年曾提出在硅光芯片集成主动偏振跟踪电路，验证了使用普通单模光纤（SMF）替代PMF的经济性与可行性，但同样需要在插入损耗、功耗与能效之间进行权衡。四是光IO重回光栅耦合：尽管端面耦合损耗低，但CPO需支持数十至上百路高密度光接口，唯有光栅耦合可实现二维阵列。通过背面反射镜及光栅特殊设计等，光栅耦合效率与带宽等短板被补齐，重新成为CPO首选。五是调制技术路线再争议：“器件尺寸”从次要指标变成首要指标。MZI虽性能均衡但尺寸大；EAM由于其平衡指标，重新引起关注，但其应用仍受限于波段问题；异质集成薄膜铌酸锂（TFLN）、BTO等新方案也在探索中，但均需解决工艺兼容性问题。六是接收端回归收发一体：为满足高集成度要求，接收端必须与发射端集成于同一芯片，需重点解决偏振、波分及多通道串扰等问题。七是芯片尺寸成为系统考量的关键：各核心器件对芯片的尺寸提出了较高的要求。冯俊波介绍，CUMEC已完成了TMV与TSV两种CPO集成方案的链路与工艺验证。他同时指出，尽管硅光技术持续演进，CPO的规模化落地仍面临技术、商业等方面的多重障碍。
从产业驱动力来说，拐点未至。 当前功耗、带宽需求及应用场景的扩展程度，尚不足以支撑全行业向CPO全面切换。
同时，产业生态尚不成熟。 CPO技术门槛高，当前仅行业寡头可参与，还存在研发周期长，行业标准缺失，现场可维护性差等问题。在工程层面，光电封装、散热、良率及可靠性等工程难题仍需突破，且光电封装与制造成本甚至高于光引擎本身。
从商业博弈角度来说，一方面，光模块厂商正以XPO等替代方案延缓CPO替代进程；另一方面，客户担忧交换机厂商数量远少于光模块厂商，一旦转向CPO，可能丧失议价主动权。
