作为中国光博会核心板块之一，“红外技术及应用展”汇集了上百家红外探测器上下游厂商，集中展示最新技术成果与全场景解决方案，令观众一站式纵览红外产业的技术演进脉络与应用落地前景。
红外探测与成像技术作为关键感知手段，有效弥补了可见光视觉在弱光与复杂气象条件下的局限，显著增强了自动驾驶汽车、人形机器人等自主系统的环境适应能力。随着红外探测与成像技术与AI的融合发展，自主系统正从“被动感知”迈向“主动认知”。
不同波段的光学吸收特性差异，决定了各波段器件所适配的材料体系与工艺路线。在红外技术与AI技术双向赋能的背景下，红外探测器在微型化、集成化的既有演进路径之上，正加速向多维信息融合成像、片上智能处理等方向纵深发展。
短波红外探测器市场核心增长动力源于远程监控系统、半导体及电池检测等领域对短波红外相机需求的持续攀升及规模化落地，依托工业监测、消费电子、汽车电子等应用领域的蓬勃发展，短波红外探测器市场正孕育着广阔的增长空间。
铟镓砷（InGaAs）和碲镉汞（MCT，HgCdTe）技术路线成熟但昂贵，百万像素高性能大面阵焦平面阵列实现了产业化及商业应用；量子点（CQD）和锗硅（Ge-Si）两种低成本技术路线正快速进入产业化发展之路。
InGaAs阵营依然由上海技物所、夜视院集团、国惠光电、中科德芯、睿创微纳、光智科技等主导。碲镉汞势力主要包括海技物所、夜视院集团、光智科技。
与此同时，量子点成为活跃的新兴势力：夜视院集团展出2K全高清量子点探测器，中芯热成与英睿红外均推出1280×1024@10 μm量级产品，量芯光电更发布全球首款7 μm/1280×1024晶圆级封装量子点芯片。此外，拓感科技则以II类超晶格（T2SL）切入，知芯半导体深耕硅锗，为短波红外波段提供了更多选择。（注：单位先后顺序主要与探测波长及光敏材料相关）
中国科学院上海技术物理研究所（简称：上海技物所）是我国红外与光电领域集基础研究、工程技术研发与高新技术产业化于一体的综合型国立研究机构。研究所紧扣空天战略与前沿科学需求，重点布局空天红外与光电有效载荷、高性能红外探测器、红外物理及前沿技术、空间主动光电系统与遥感信息处理五大方向，形成了从材料物理、芯片器件到载荷系统与数据应用的完整创新链条。上海技物所短波红外探测器光敏材料以碲镉汞和InGaAs为主，本次展出了近红外及短波红外探测器及相关组件。
- 碲镉汞短波红外探测器：提供640×512与1024×1024两种阵列规模，面向天文科学任务设计，服务于高灵敏、大面阵的红外天文观测需求。
- InGaAs焦平面探测器组件：响应波段覆盖0.4-1.7 μm，实现从可见光到短波红外的连续响应，兼具宽谱段与高灵敏度，可适配近红外光谱成像、光电探测等多种应用场景。
- InGaAs单光子探测器组件与相机：阵列规模为64×64与128×128，工作于近红外波段，具备抗背景光干扰能力与主被动复合成像能力，并达到亚纳秒级时间测量精度，可同时获取目标的强度与时间信息，是空间激光雷达、三维成像与单光子测距等主动光电系统的核心器件。
北方夜视科技研究院集团有限公司（简称：夜视院集团）是国内规模化红外探测器组件生产和研发中心，具备现代化柔性生产线，实现了第一代、第二代红外探测器产品的批产和工程化应用，并致力于第三代红外探测器的研发，掌握多项光电探测器关键技术，具备多项自主知识产权。夜视院集团短波红外探测器光敏材料以碲镉汞、InGaAs和量子点为主。本次展出了InGaAs短波红外探测器、成像机芯以及胶体量子点短波红外探测器，构成从探测芯片到成像整机的完整产品链。
- InGaAs短波红外线阵探测器：提供512像元与1024像元两种规模。
- InGaAs短波红外焦平面探测器：提供320×256、640×512、1280×1024三种阵列规模，像元中心距为15 μm。
- 数字化InGaAs短波红外焦平面探测器：阵列规模1280×1024，像元中心距为10 μm。
- 胶体量子点短波红外探测器：响应波段覆盖0.4-1.9 μm，具备2K全高清分辨率，器件可室温工作，兼容成熟CMOS工艺，便于小型化集成；兼具高探测灵敏度、低暗电流，可适配穿雾观测、物质成分甄别、半导体内部缺陷检测等多种应用场景。
山西国惠光电科技有限公司（简称：国惠光电）是国内最早深耕InGaAs短波红外探测器的厂商之一，拥有国际水准的4英寸III-V族半导体化合物芯片生产线，自主研发并实现工程化生产的红外焦平面探测器芯片及其成像系统，其指标已达到国际先进水平。国惠光电短波红外探测器光敏材料以InGaAs为主。本次展出了多款InGaAs短波红外探测器芯片及短波红外相机。
- InGaAs短波红外探测器芯片：提供320×256、640×512、1280×1024三种阵列规模，像元中心距为15 μm，具备高灵敏度、低噪声和宽光谱响应特性，可满足从科研级极致细节到工业级主流应用的全面需求。
- 高速InGaAs短波红外相机：搭载640×512 InGaAs探测器，帧频可达1000 fps，捕捉瞬间动态，适用于高速科研与高端工业过程监控。
无锡中科德芯感知科技有限公司（简称：中科德芯）专注于短波红外光电感知技术的研发与产业化，在短波红外InGaAs探测材料与器件领域拥有完整的知识产权体系，构建了从材料外延、芯片工艺、读出电路设计、集成化封装及测试等在内的全产业链技术平台。中科德芯短波红外探测器光敏材料为InGaAs。本次展出了多款InGaAs短波红外探测器芯片及短波红外相机。此外，中科德芯本次展出了短波红外2048×1线阵探测器新品。
- InGaAs短波红外面阵探测器：提供640×512阵列规模一级制冷、三级制冷、四级制冷探测器以及1280×1024阵列规模等多种规格探测器，响应波段覆盖0.5-2.0 μm，具备高工作温度、多档增益、大动态范围、高灵敏度等特性，可以覆盖丰富的应用场景。
- InGaAs短波红外线列探测器：提供256×1、512×1、1024×1、2048×1等阵列规模的长条形像元产品，响应波段覆盖0.9-2.5 μm，适用于光谱分析等应用场景；提供512×2、1024×1、1024×2、2048×1等阵列规模的正方形像元产品，响应波段覆盖0.9-1.9 μm，适用于工业分选、机器视觉等应用场景。
- InGaAs短波红外线列探测器：提供0.95-1.65 μm/1.0-2.6 μm两种波段可选，光敏面直径包括φ1000 μm、φ2000 μm、φ3000 μm等，支持非制冷或集成二级TEC制冷形式。
- 短波红外2048×1线阵探测器L97B113C1：包含L97B113C1-A（像元尺寸12.5 μm×12.5 μm）、L97B113C1-B（像元尺寸12.5 μm×250 μm）两款，阵列规模为2048×1，具备7档可调增益、高行频、小体积陶瓷封装及内置一级热电制冷器（TEC）等核心优势，有效降低暗电流噪声，适应宽动态范围与高速扫描应用需求。
烟台睿创微纳技术股份有限公司（简称：睿创微纳）正加速落地多维感知+AI战略布局，持续突破单一红外感知边界，稳步拓展微波、激光感知技术领域，逐步构建多技术协同的业务体系。睿创微纳于2022年研制了15 μm 640×512 InGaAs探测器芯片，并发布了短波红外机芯组件产品。睿创微纳短波红外探测器光敏材料为InGaAs。本次展出了多款短波红外探测器及短波红外相机。此外，睿创微纳本次首发了NS-1210A-10GE面阵短波红外相机。
- InGaAs短波红外线阵探测器：提供512×2、1024×1两种阵列规模，像元中心距分别为25 μm、12.5 μm，响应波段覆盖0.9-1.7 μm，具备分辨率可选、行频高达36 kHz、高灵敏度、低功耗等特性，可以覆盖丰富的应用场景。
- InGaAs短波红外焦平面探测器：提供640×512、1280×1024等两种阵列规模，像元中心距分别为15 μm、10 μm，响应波段覆盖0.9-1.7 μm，具备低噪声、高帧频、低功耗等特性，可以覆盖丰富的应用场景。
- NS-1210A-10GE面阵短波红外相机：搭载自研1280×1024 InGaAs面阵红外探测器，内置图像校正、图像处理算法，配备2.5GigE图像接口，可支持最高60 Hz全窗输出，低噪声、数字化输出、低功耗，适配安防监控、科研仪器、半导体检测等多个应用领域。
安徽光智科技有限公司（简称：光智科技）以全光谱感知技术为核心，构建了覆盖紫外、可见光、短波红外、中波红外、长波红外、毫米波、微波等各波段的技术布局，围绕“核心器件—机芯模组—整机系统—多维感知解决方案”，实现从核心器件到整机系统的全产业链协同能力。光智科技短波红外探测器光敏材料为InGaAs和碲镉汞。本次展出了短波红外探测器。
- 短波红外探测器：面阵规模为640×512，像元中心距为15 μm，响应波段分别为0.9-1.7 μm（InGaAs）和1.0-2.5 μm（碲镉汞）。
浙江拓感科技有限公司（简称：拓感科技）成功研制第四代制冷型红外焦平面探测器芯片，打破国外垄断，实现高端红外芯片国产化；通过三大技术突破（红外焦平面阵列制备技术、倒焊互连技术、新型封装结构），实现更高性能、更小体积、更长寿命。拓感科技短波红外探测器光敏材料为T2SL。本次展出了多款短波红外探测器。
- 金属管壳封装短波红外探测器：提供1024×1、640×512两种阵列规模，截止波长为1.7 μm。可满足航空航天、工业光谱探测、食品安全等应用领域的需求。
- 制冷型短波红外探测器：阵列规模为640×512，截止波长为2.5 μm。适配于航空航天、工业光谱探测、食品安全等应用领域。
中芯热成科技（北京）有限责任公司（简称：中芯热成）专注于红外量子点材料成像芯片领域，具备从材料研发到芯片量产的全流程研发能力。中芯热成本次展出了多款量子点短波红外探测器及短波红外相机。
- 量子点短波红外探测器：提供640×512、1280×1024等两种阵列规模，像元中心距分别为15 μm、10 μm/15 μm，响应波段覆盖800-2000 nm。640×512@15 μm性价比优势显著；1280×1024@10 μm具备高分辨、紧凑型等特性，侧重空间分辨率能力；1280×1024@15 μm具备大像元、高信噪比等特性，兼顾分辨率与灵敏度。
- 短波红外相机：两款分别搭载自研640×512@15 μm短波红外传感器和1280×1024@15 μm短波红外传感器，前一款适配工业视觉检测、激光光斑检测等场景，后一款适配航空遥感、半导体检测、高端工业检测等场景。
武汉英睿红外科技有限公司（简称：英睿红外）专注于量子点短波红外图像传感器与成像系统研发，联合光谷实验室打造单片集成感知验证平台，构建从“ROIC设计（640/1280/2048）—器件制备—先进模组集成—系统交付”的全链条工程化闭环。英睿红外本次展出了系列量子点短波红外图像传感器和短波红外相机。此外，英睿红外本次首发了130万像素量子点短波红外图像传感器、短波红外相机和短波红外AI智能相机。
- 130万像素量子点短波红外图像传感器：阵列规模为1280×1024，像元中心距为10 μm，响应波段覆盖0.4-1.7 μm，可配合不同波段光源或滤光方案，可获取目标形貌、透射及特征吸收等信息，减少多传感器方案带来的光路切换、图像配准与系统集成复杂度，为工业检测提供更完整的目标信息。
- 130万像素量子点短波红外相机：搭载上述自研1280×1024短波红外图像传感器，低功耗运行，配备2.5GigE图像接口，紧凑设计、集成更灵活，开发更高效，适配面向半导体/光伏检测、激光通信、智能制造、材料识别等应用领域。
- 量子点短波红外AI智能相机：响应波段覆盖400-1700 nm，融合可见光-短波红外宽光谱成像与AI推理，AI模型灵活部署，检测、识别、分类、跟踪等即时完成，全系分辨率适配，缩短应用开发周期。
安徽量芯光电科技有限公司（简称：量芯光电）专注于宽波段量子点探测器全产业链技术研发与产业化。量芯光电拥有国内首条8英寸晶圆级全惰性气氛量子点成像芯片生产线，掌握量子点材料批量制备、晶圆级集成封装、宽波段透明导电薄膜等核心技术。量芯光电本次展会重磅推出全球首款7 μm/1280×1024晶圆级封装量子点成像芯片。
- 7 μm/1280×1024晶圆级封装量子点成像芯片：采用大面阵和小像元设计，响应波段覆盖400-2400 nm，可用于AI多光谱感知、机器人视觉、无人机载荷及小型化多波段成像系统。
知芯半导体有限公司（简称：知芯半导体）专注于硅锗短波红外探测成像与硅锗高速通信芯片的研发、生产与销售。依托高质量硅锗异质外延技术、低噪声硅锗红外探测器件设计、可量产硅锗专用工艺三项核心技术，建立自主可控的硅锗器件专用研发平台，打通“器件设计仿真—材料外延生长—专用芯片工艺—匹配电路设计—成像系统验证”全链路研发环节。知芯半导体以硅基锗材料为光敏材料，展示了多款硅锗短波红外单光子雪崩二极管及阵列成像芯片。
- 硅锗短波红外单光子雪崩二极管及阵列成像芯片：包括单元、线列以及阵列探测器芯片，工作波段覆盖400-1700 nm，适用于3D成像、光谱检测、激光测距等场景。
小结
整体来看，短波红外波段呈现“成熟路线拼参数、新兴路线拼场景”的格局：InGaAs阵营已全面对标1280×1024阵列规模，竞争焦点转向成本控制等方向；量子点路线则凭借室温工作、兼容CMOS工艺的特性，正在穿雾观测、物质成分甄别、半导体缺陷检测等场景中打开新机遇；Ge-Si单光子与T2SL的短波红外器件的出现，说明短波红外的边界正在向可见光与中波红外两侧延伸。
